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日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D
更新日期：2024-05-15
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廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
生產(chǎn)地址：
簡要描述：
日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D適用于 D、F、G、J、K 級、芯片、melph、徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機
日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D
適用于 D、F、G、J、K 級、芯片、melph、徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機
由于模數(shù)隔離提高了抗噪性，因此穩(wěn)定性高
兼容極小的芯片（低功耗測量）
超高速 0.7msec.（代表值）
通過熱電動勢抵消測量實現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
通過各量程的測量值積分時間設置功能實現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量
% 測量：± 99.99% [5mΩ-109MΩ]
測量：0.00mΩ～200.00MΩ
接觸檢查：可選擇測量前/測量后/OFF
RS-232C接口標準設備（GP-IB可選）
打印機輸出標準設備（基于Centronics）
設定值傳送功能標準設備：（相同的設定數(shù)據(jù)可傳送至另一臺AE-162D并自動設定）
測量電流/測量電壓異常檢查電路標準設備
測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C），校準后180天[校準后1年：1.5次]
| 測量范圍 | 標準值設定范圍 | 測量電流 | 測量精度* | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 減緩 | 快速地 | ||||
| 100mΩ | 5mΩ-100mΩ | 100mA | ± 0.02% ± 2a ± 2d | ± 0.03% ± 3a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d | |
| 1Ω | 100.1mΩ～1Ω | 100mA | ±0.02%±a±1d以內(nèi) | ± 0.02% ± a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d | |
| 10Ω | 1.001Ω～10Ω | 50mA | |||
| 100Ω | 10.01Ω-100Ω | 10mA | ±0.02%±1d以內(nèi) | ± 0.02% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d | |
| 1kΩ | 100.1Ω～1kΩ | 5mA | |||
| 10kΩ | 1.001kΩ～10kΩ | 0.5mA | |||
| 100kΩ | 10.01kΩ-100kΩ | 50μA | |||
| 1兆歐 | 100.1kΩ～1MΩ | 5μA | ± 0.05% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d | ||
| 10兆歐 | 1.001MΩ ~ 10MΩ | 0.5μA | ±0.03%±1d以內(nèi) | ± 0.2% ± 4d ± [1 / (1 + n)] d | |
| 100MΩ | 10.01MΩ ~ 109MΩ | 0.05μA | ±0.1%±2d以內(nèi) | ──── | |
* D = 位數(shù)，n = 積分時間（毫秒），% 測量值：α = (100 / 標準設定值 mΩ) x 0.01%，值測量值：α = 0（添加 ± 1d）
* 屏蔽狀態(tài)下的*精度
日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D
| 測量時間 | 外部啟動 | 自由奔跑 | ||
|---|---|---|---|---|
| 減緩 | 快速地 | 減緩 | 快速地 | |
| 大約 18 毫秒-400 毫秒。 | 大約 0.7 毫秒-400 毫秒。 | 約30次/秒～ 約2次/秒 | 約60次/秒～ 約2次/秒 | |
| 測量端子開路電壓 | 15V以下 |
|---|---|
| 測量結(jié)束信號（EOC）脈寬 | 1 至 250 毫秒，可連續(xù)設定 |
| 測量方法 | 4端測量/2端測量可切換 |
| 判斷值設定范圍 | %測量：±99.99%，值測量：00000-20000 |
| 周邊環(huán)境 | 溫度：0℃～+50℃，濕度：80%以下 |
| 需要電源 | AC85V～265V，50Hz～60Hz，約50VA |
| 外形尺寸 | 333 (w) x 99 (H) x 300 (D) mm（不包括橡膠腳墊等突出部分） |
| 重量 | 約3.5kg |
| 選項 | ? GP-IB |
|---|---|
| ? 數(shù)據(jù)傳輸線 | |
| ? 短接（零歐姆標準電阻） | |
| ? 轉(zhuǎn)換適配器（3P x 2?5P） |
* 規(guī)格如有改進，恕不另行通知。
